|
|
IXTA26P10TАртикул: 282563 Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -100В; -26А; 150Вт; TO263. Производитель: IXYS |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | TO263 |
| Производитель: | IXYS |
| Вид упаковки: | туба |
| Время готовности: | 70нс |
| Заряд затвора: | 52нC |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±15В |
| Напряжение сток-исток: | -100В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 150Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 90мОм |
| Технология: | TrenchP™ |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | P-MOSFET |
| Ток стока: | -26А |
| PDF: |
|
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -100В; -26А; 150Вт; TO263.
Теги: Транзисторы с каналом P SMD, IXYS, Транзистор: P-MOSFET, TrenchP™, полевой, -100В, -26А, 150Вт, TO263