STU2NK100Z Артикул: 209372 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 1,16А; 70Вт; IPAK. Производитель: ST MICROELECTRONICS		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 64 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 25 27 72 Без НДС: 157.22 грн. 57.92 грн. 55.38 грн. 33.74 грн. 31.83 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	IPAK
Производитель:	ST MICROELECTRONICS; STMicroelectronics;
Вид упаковки:	туба
Кол-во в упаковке:	75шт.
Монтаж:	THT
Мощность:	70Вт
Напряжение затвор-исток:	±30В
Напряжение сток-исток:	1000В; 1кВ;
Полярность:	полевой
Потери мощности:	70Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	8.5Ом; 8500мОм;
Технология:	SuperMesh™
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	1,16А; 1.16А;
Характеристики полупроводниковых элементов:	ESD protected gate
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 1,16А; 70Вт; IPAK.

Теги: ST MICROELECTRONICS., Транзистор: N-MOSFET, полевой, 1кВ, 1, 16А, 70Вт, IPAK.