|
|
S2M0160120KАртикул: 1262632 Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой. Производитель: SMC DIODE SOLUTIONS |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 16 Срок поставки 20-30 дней |
||||||||||||
|
|
||||||||||||||||
| Корпус: | TO247-4 |
| Производитель: | SMC DIODE SOLUTIONS |
| Pulsed drain current: | 40А |
| Вид упаковки: | туба |
| Заряд затвора: | 26,5нC |
| Монтаж: | THT |
| Напряжение затвор-исток: | -5...20В |
| Напряжение сток-исток: | 1,2кВ |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 130Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 0,3Ом |
| Технология: | SiC |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 12А |
| Характеристики полупроводниковых элементов: | вывод Кельвина |
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой.
Теги: Транзисторы с каналом N THT, SMC DIODE SOLUTIONS, Транзистор: N-MOSFET, SiC, полевой