|
|
S2M0120120JАртикул: 1262626 Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой. Производитель: SMC DIODE SOLUTIONS |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 48 Срок поставки 20-30 дней |
||||||||||
|
|
||||||||||||||
| Корпус: | D2PAK-7 |
| Производитель: | SMC DIODE SOLUTIONS |
| Pulsed drain current: | 66А |
| Вид упаковки: | туба |
| Заряд затвора: | 29,6нC |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | -5...20В |
| Напряжение сток-исток: | 1,2кВ |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 153Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 212мОм |
| Технология: | SiC |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 15А |
| Характеристики полупроводниковых элементов: | вывод Кельвина |
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой.
Теги: Транзисторы с каналом N THT, SMC DIODE SOLUTIONS, Транзистор: N-MOSFET, SiC, полевой