LGE3M60065Q Артикул: 888465 Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 36А; Idm: 97А; 208Вт. Производитель: LUGUANG ELECTRONIC		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 0
				В корзину

• Характеристики
• Описание

PDF:

Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 36А; Idm: 97А; 208Вт.

Теги: Транзисторы с каналом N THT, LUGUANG ELECTRONIC, Транзистор: N-MOSFET, SiC, полевой, 650В, 36А, Idm: 97А, 208Вт