LGE3M28065Q Артикул: 892296 Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 67А; Idm: 211А; 326Вт. Производитель: LUGUANG ELECTRONIC		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 0
				В корзину

• Характеристики
• Описание

PDF:

Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 67А; Idm: 211А; 326Вт.

Теги: Транзисторы с каналом N THT, LUGUANG ELECTRONIC, Транзистор: N-MOSFET, SiC, полевой, 650В, 67А, Idm: 211А, 326Вт