|
|
IXFN100N50PАртикул: 095191 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 90А; 1,04кВт; SOT227B Производитель: IXYS |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | SOT227B |
| Производитель: | IXYS |
| Pulsed drain current: | 250А |
| Вид упаковки: | россыпью |
| Время готовности: | 200нс |
| Заряд затвора: | 240нC |
| Импульсный ток: | 250А |
| Конструкция диода: |
single transistor; одиночный транзистор; |
| Механический монтаж: | винтами |
| Монтаж: | винтами |
| Мощность: | 1.04кВт |
| Напряжение затвор-исток: | ±30В |
| Напряжение сток-исток: | 500В |
| Обратное напряжение макс.: | 500В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: |
1,04кВт; 1.04кВт; |
| Рабочая температура: | -55...150°C |
| Серия: | HiPerFET™ |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 49мОм |
| Технология: | HiPerFET™ |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип модуля: |
полевой МОП-транзистор; транзисторный; |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: |
75А; 90А; |
| Электрический монтаж: | винтами |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 90А; 1,04кВт; SOT227B
Теги: IXYS, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 90А, 1, 04кВт, SOT227B