|
|
IRFD110PBFАртикул: 093669 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 700мА; 1,3Вт; DIP4 Производитель: VISHAY |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 3 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | DIP4 |
| Производитель: | VISHAY |
| #Promotion: | vishay_201906 |
| Заряд затвора: |
8,3нC; 8.3нC; |
| Монтаж: | THT |
| Мощность: | 1.3Вт |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 100В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: |
1,3Вт; 1.3Вт; |
| Сопротивление в открытом состоянии: |
0,54Ом; 0.54Ом; 540мОм; |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: |
0,71А; 0.71А; 0.7А; 700мА; |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 700мА; 1,3Вт; DIP4
Теги: VISHAY, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 700мА, 1, 3Вт, DIP4