IPP60R180P7XKSA1Артикул: 402847 Транзистор: N-MOSFET. Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
||
| Корпус: | PG-TO220-3 |
| Производитель: | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Pulsed drain current: | 53А |
| Монтаж: | THT |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 650В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 72Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 180мОм |
| Технология: |
CoolMOSTM P7; CoolMOS™ P7; |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 11А |
| Характеристики полупроводниковых элементов: | ESD protected gate |
Транзистор: N-MOSFET.
Теги: Транзисторы с каналом N THT, INFINEON TECHNOLOGIES, Транзистор: N-MOSFET

