|
|
IPI65R110CFDXKSA1Артикул: 092578 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 31,2А; 277,8Вт; PG-TO262-3 Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | PG-TO262-3 |
| Производитель: | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Монтаж: | THT |
| Мощность: | 277.8Вт |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 650В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: |
277,8Вт; 277.8Вт; |
| Сопротивление в открытом состоянии: |
0,11Ом; 110мОм; |
| Технология: | CoolMOS™ |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: |
31,2А; 31.2А; |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 31,2А; 277,8Вт; PG-TO262-3
Теги: INFINEON TECHNOLOGIES, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 650В, 31, 2А, 277, 8Вт, PG-TO262-3