(066) 705-70-05 (073) 705-70-05
info@smdua.in.ua (096) 705-70-05

  • GAN041-650WSBQ

GAN041-650WSBQ

Артикул: 0519299


Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; GaN; полевой; HEMT,каскодный; 650В.

Производитель: NEXPERIA



PDF
Кратность заказа позиции:
1
Минимальный заказ позиции:
1
Кол-во:
9


Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 30
Без НДС: 1 809.23 грн. 1 456.76 грн. 981.17 грн.
Корпус: SOT429;
TO247;
Производитель: NEXPERIA
Pulsed drain current: 240А
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 22нC
Монтаж: THT
Напряжение затвор-исток: ±20В
Напряжение сток-исток: 650В
Полярность: полевой
Потери мощности: 187Вт
Сопротивление в открытом состоянии: 35мОм
Технология: GaN
Тип транзистора: N-JFET / N-MOSFET
Тип транзистора: HEMT;
каскодный;
Ток стока: 33,4А
PDF:
PDF
Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; GaN; полевой; HEMT,каскодный; 650В.

Теги: Радиаторы - оснащение, FISCHER ELEKTRONIK, Прижимная пластина, TO218, TO220, TO247, TO248, TO3P