BS107P Артикул: 207977 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 120мА; 500мВт; TO92. Производитель: DIODES INCORPORATED		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 1233 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 5 10 25 31 83 100 Без НДС: 46.08 грн. 40.23 грн. 36.79 грн. 32.02 грн. 29.41 грн. 27.82 грн. 26.73 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	TO92
Производитель:	DIODES INCORPORATED
Вид упаковки:	россыпью
Монтаж:	THT
Мощность:	0.5Вт; 500мВт;
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	200В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	0,5Вт; 0.5Вт;
Сопротивление в открытом состоянии:	23Ом; 30000мОм; 30Ом;
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	0,12А; 0.12А; 120мА;
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 120мА; 500мВт; TO92.

Теги: DIODES INCORPORATED., Транзистор: N-MOSFET, полевой, 200В, 120мА, 500мВт, TO92.