|
|
ZXMS6006SGTAАртикул: 279001 Транзистор: N-MOSFET; IntelliFET™; полевой; 60В; 2,8А; 1Вт; SOT223. Производитель: DIODES INCORPORATED |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | SOT223 |
| Производитель: | DIODES INCORPORATED |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение сток-исток: | 60В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 1Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: |
0,1Ом; 0.1Ом; |
| Технология: | IntelliFET™ |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: |
2,8А; 2.8А; |
| Характеристики полупроводниковых элементов: |
ESD protected gate; logic level; |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; IntelliFET™; полевой; 60В; 2,8А; 1Вт; SOT223.
Теги: Транзисторы с каналом N SMD, DIODES INCORPORATED, Транзистор: N-MOSFET, IntelliFET™, полевой, 60В, 2, 8А, 1Вт, SOT223