|
|
ZXMN6A08GTAАртикул: 278997 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2,8А; 2Вт; SOT223. Производитель: DIODES INCORPORATED |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | SOT223 |
| Производитель: | DIODES INCORPORATED |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 60В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 2Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: |
0,15Ом; 150мОм; |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: |
2,8А; 2.8А; |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2,8А; 2Вт; SOT223.
Теги: Транзисторы с каналом N SMD, DIODES INCORPORATED, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 2, 8А, 2Вт, SOT223