|
|
ZXMN2A03E6TAАртикул: 278989 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 3,4А; 1,1Вт; SOT26. Производитель: DIODES INCORPORATED |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | SOT26 |
| Производитель: | DIODES INCORPORATED |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±12В |
| Напряжение сток-исток: | 20В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: |
1,1Вт; 1.1Вт; |
| Сопротивление в открытом состоянии: |
0,1Ом; 100мОм; |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: |
3,4А; 3.4А; |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 3,4А; 1,1Вт; SOT26.
Теги: Транзисторы с каналом N SMD, DIODES INCORPORATED, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 20В, 3, 4А, 1, 1Вт, SOT26