ZXMN10A25GTA Артикул: 278988 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 3,7А; 2Вт; SOT223. Производитель: DIODES INCORPORATED		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 971 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 5 10 20 25 50 Без НДС: 86.57 грн. 59.83 грн. 50.92 грн. 45.19 грн. 42.65 грн. 42.01 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SOT223
Производитель:	DIODES INCORPORATED
Вид упаковки:	бобина; лента;
Монтаж:	SMD
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	100В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	2Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	0,15Ом; 150мОм;
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	3,7А; 3.7А;
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 3,7А; 2Вт; SOT223.

Теги: Транзисторы с каналом N SMD, DIODES INCORPORATED, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 3, 7А, 2Вт, SOT223