ZXMN10A11GTA Артикул: 215786 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1,9А; 2Вт; SOT223. Производитель: DIODES INCORPORATED		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 303 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 40 108 Без НДС: 65.88 грн. 43.79 грн. 22.60 грн. 21.32 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SOT223
Производитель:	DIODES INCORPORATED
Вид упаковки:	бобина; лента;
Монтаж:	SMD
Мощность:	2Вт
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	100В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	2Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	0,45Ом; 0.45Ом;
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	1,9А; 1.9А;
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1,9А; 2Вт; SOT223.

Теги: DIODES INCORPORATED., Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 1, 9А, 2Вт, SOT223.