|
|
YJD80G06AАртикул: 279916 Транзистор: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; полевой; 60В; 56А; 42,5Вт. Производитель: YANGJIE TECHNOLOGY |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 3 |
Кол-во: 330 Срок поставки 20-30 дней |
||||||||||
|
|
||||||||||||||
| Корпус: | TO252 |
| Производитель: | YANGJIE TECHNOLOGY |
| Pulsed drain current: | 240А |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Заряд затвора: | 31нC |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 60В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: |
42,5Вт; 42.5Вт; |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 11мОм |
| Технология: | SPLIT GATE TRENCH |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 56А |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; полевой; 60В; 56А; 42,5Вт.
Теги: Транзисторы с каналом N SMD, YANGJIE TECHNOLOGY, Транзистор: N-MOSFET, SPLIT GATE TRENCH, полевой, 60В, 56А, 42, 5Вт