SSM3J332R,LF(T Артикул: 248990 Транзистор: P-MOSFET; полевой; ESD protected gate; -30В; -6А; 1Вт. Производитель: TOSHIBA		Кратность заказа позиции: 5 Минимальный заказ позиции: 5	Кол-во: 9045 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 5 25 100 170 460 Без НДС: 11.78 грн. 7.32 грн. 6.49 грн. 5.35 грн. 5.03 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SOT23F
Производитель:	TOSHIBA
Вид упаковки:	бобина; лента;
Заряд затвора:	8,2нC; 8.2нC;
Монтаж:	SMD
Мощность:	1Вт
Напряжение затвор-исток:	±12В
Напряжение сток-исток:	-30В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	1Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	144мОм
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	P-MOSFET
Ток стока:	-6А
Характеристики полупроводниковых элементов:	ESD protected gate
PDF:

Транзистор: P-MOSFET; полевой; ESD protected gate; -30В; -6А; 1Вт.

Теги: TOSHIBA., Транзистор: P-MOSFET, полевой, ESD protected gate, -30В, -6А, 1Вт.