|
|
SIS402DN-T1-GE3Артикул: 483563 Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 35А; Idm: 70А; 33Вт. Производитель: VISHAY |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | PowerPAK® 1212-8 |
| Производитель: | VISHAY |
| Pulsed drain current: | 70А |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Заряд затвора: | 12нC |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 30В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 33Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 8мОм |
| Технология: | TrenchFET® |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 35А |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 35А; Idm: 70А; 33Вт.
Теги: Транзисторы с каналом N SMD, VISHAY, Транзистор: N-MOSFET, TrenchFET®, полевой, 30В, 35А, Idm: 70А, 33Вт