|
|
SI4174DY-T1-GE3Артикул: 278926 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 13,5А; 3,2Вт; SO8. Производитель: VISHAY |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 1170 Срок поставки 20-30 дней |
||||||||||
|
|
||||||||||||||
| Корпус: | SO8 |
| Производитель: | VISHAY |
| #Promotion: | vishay_201906 |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Заряд затвора: | 8нC |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 30В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: |
3,2Вт; 3.2Вт; |
| Сопротивление в открытом состоянии: |
0,0095Ом; 0.0095Ом; 9,5мОм; |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: |
13,5А; 13.5А; |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 13,5А; 3,2Вт; SO8.
Теги: Транзисторы с каналом N SMD, VISHAY, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 13, 5А, 3, 2Вт, SO8