SI2336DS-T1-GE3 Артикул: 250635 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,1А; 1,1Вт; SOT23. Производитель: VISHAY		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 3833 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 100 111 304 Без НДС: 26.16 грн. 20.88 грн. 16.49 грн. 8.02 грн. 7.57 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SOT23
Производитель:	VISHAY
#Promotion:	vishay_201906
Вид упаковки:	бобина; лента;
Заряд затвора:	5,7нC; 5.7нC;
Монтаж:	SMD
Мощность:	1.1Вт
Напряжение затвор-исток:	±8В
Напряжение сток-исток:	30В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	1,1Вт; 1.1Вт;
Сопротивление в открытом состоянии:	0,052Ом; 0.052Ом; 52мОм;
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	4,1А; 4.1А;
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,1А; 1,1Вт; SOT23.

Теги: VISHAY., Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 4, 1А, 1, 1Вт, SOT23.