|
|
SI1012X-T1-GE3Артикул: 275748 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,35А; 0,08Вт; SC89. Производитель: VISHAY |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 3 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | SC89 |
| Производитель: | VISHAY |
| #Promotion: | vishay_201906 |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Заряд затвора: |
0,75нC; 0.75нC; |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±6В |
| Напряжение сток-исток: | 20В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: |
0,08Вт; 0.08Вт; |
| Сопротивление в открытом состоянии: |
0,7Ом; 0.7Ом; 700мОм; |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: |
0,35А; 0.35А; |
| Характеристики полупроводниковых элементов: | ESD protected gate |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,35А; 0,08Вт; SC89.
Теги: VISHAY., Транзистор: N-MOSFET, полевой, 20В, 0, 35А, 0, 08Вт, SC89.