|
|
IRL80HS120Артикул: 251575 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 9А; 5,8Вт; PQFN2X2. Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | PQFN2X2 |
| Производитель: | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Вид упаковки: | бобина |
| Заряд затвора: |
4,7нC; 4.7нC; |
| Монтаж: | SMD |
| Мощность: | 5.8Вт |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 80В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: |
5,8Вт; 5.8Вт; |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 32мОм |
| Технология: | OptiMOS™ 5 |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 9А |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 9А; 5,8Вт; PQFN2X2.
Теги: INFINEON TECHNOLOGIES., Транзистор: N-MOSFET, полевой, 80В, 9А, 5, 8Вт, PQFN2X2.