|
|
IPN80R1K2P7ATMA1Артикул: 247066 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,1А; 6,8Вт; SOT223. Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | PG-SOT223 |
| Производитель: | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Вид упаковки: | бобина |
| Заряд затвора: | 11нC |
| Монтаж: | SMD |
| Мощность: | 6.8Вт |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 800В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: |
6,8Вт; 6.8Вт; |
| Сопротивление в открытом состоянии: |
1,2Ом; 1200мОм; |
| Технология: | CoolMOS™ P7 |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: |
3,1А; 3.1А; |
| Характеристики полупроводниковых элементов: | ESD protected gate |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,1А; 6,8Вт; SOT223.
Теги: INFINEON TECHNOLOGIES., Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 3, 1А, 6, 8Вт, SOT223.