IPD80R2K0P7ATMA1 Артикул: 251423 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,9А; 24Вт; PG-TO252-3. Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 1462 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 25 67 500 Без НДС: 64.16 грн. 51.62 грн. 36.54 грн. 34.56 грн. 33.29 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	PG-TO252-3
Производитель:	INFINEON TECHNOLOGIES
Заряд затвора:	9нC
Монтаж:	SMD
Мощность:	24Вт
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	800В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	24Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	2Ом
Технология:	CoolMOS™ P7
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	1,9А; 1.9А;
Характеристики полупроводниковых элементов:	ESD protected gate
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,9А; 24Вт; PG-TO252-3.

Теги: INFINEON TECHNOLOGIES., Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 1, 9А, 24Вт, PG-TO252-3.