|
|
IPB60R099P7ATMA1Артикул: 247759 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 20А; 117Вт; D2PAK; CoolMOS™ P7. Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | D2PAK |
| Производитель: | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Вид упаковки: | бобина |
| Заряд затвора: | 45нC |
| Монтаж: | SMD |
| Мощность: | 117Вт |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 600В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 117Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 99мОм |
| Технология: | CoolMOS™ P7 |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 20А |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 20А; 117Вт; D2PAK; CoolMOS™ P7.
Теги: INFINEON TECHNOLOGIES., Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 20А, 117Вт, D2PAK, CoolMOS™ P7.