|
|
IGT60R190D1SATMA1Артикул: 280420 Транзистор: N-JFET; CoolGaN™; полевой; 600В; 12,5А; Idm:23А; 55,5Вт. Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | PG-HSOF-8-3 |
| Производитель: | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Pulsed drain current: | 23А |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Заряд затвора: |
3,2нC; 3.2нC; |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | -10В |
| Напряжение сток-исток: | 600В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: |
55,5Вт; 55.5Вт; |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 190мОм |
| Технология: | CoolGaN™ |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-JFET |
| Ток стока: |
12,5А; 12.5А; |
| Ток управления: |
7,7мА; 7.7мА; |
| PDF: |
|
Транзистор: N-JFET; CoolGaN™; полевой; 600В; 12,5А; Idm:23А; 55,5Вт.
Теги: Транзисторы с каналом N SMD, INFINEON TECHNOLOGIES, Транзистор: N-JFET, CoolGaN™, полевой, 600В, 12, 5А, Idm:23А, 55, 5Вт