|
|
FDB110N15AАртикул: 454635 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 65А; Idm: 369А; 234Вт; D2PAK. Производитель: ON SEMICONDUCTOR |
 |
Кратность заказа позиции: 800 Минимальный заказ позиции: 800 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | D2PAK |
| Производитель: | ON SEMICONDUCTOR |
| Pulsed drain current: | 369А |
| Заряд затвора: | 61нC |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 150В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 234Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 11мОм |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 65А |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 65А; Idm: 369А; 234Вт; D2PAK.
Теги: Транзисторы с каналом N SMD, ON SEMICONDUCTOR, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 150В, 65А, Idm: 369А, 234Вт, D2PAK