|
|
FDB024N08BL7Артикул: 454632 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 162А; Idm: 916А; 246Вт; D2PAK. Производитель: ON SEMICONDUCTOR |
 |
Кратность заказа позиции: 800 Минимальный заказ позиции: 800 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | D2PAK |
| Производитель: | ON SEMICONDUCTOR |
| Pulsed drain current: | 916А |
| Заряд затвора: | 178нC |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 80В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 246Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 2,4мОм |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 162А |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 162А; Idm: 916А; 246Вт; D2PAK.
Теги: Транзисторы с каналом N SMD, ON SEMICONDUCTOR, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 80В, 162А, Idm: 916А, 246Вт, D2PAK