DMN3018SSD-13 Артикул: 278543 Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 5,2А; 1,5Вт; SO8. Производитель: DIODES INCORPORATED		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 354 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 63 172 2500 Без НДС: 40.23 грн. 29.98 грн. 14.19 грн. 13.43 грн. 12.92 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SO8
Производитель:	DIODES INCORPORATED
Вид упаковки:	бобина; лента;
Монтаж:	SMD
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	30В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	1,5Вт; 1.5Вт;
Сопротивление в открытом состоянии:	0,03Ом; 30мОм;
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET x2
Ток стока:	5,2А; 5.2А;
Характеристики полупроводниковых элементов:	ESD protected gate
PDF:

Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 5,2А; 1,5Вт; SO8.

Теги: Транзисторы с каналом N SMD, DIODES INCORPORATED, Транзистор: N-MOSFET x2, полевой, 30В, 5, 2А, 1, 5Вт, SO8