DMN2004K-7 Артикул: 215325 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,45А; 350мВт; SOT23. Производитель: DIODES INCORPORATED		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 2205 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 5 10 50 100 178 489 15000 24000 Без НДС: 28.20 грн. 22.09 грн. 14.25 грн. 11.34 грн. 7.46 грн. 4.98 грн. 4.71 грн. 4.65 грн. 4.59 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SOT23
Производитель:	DIODES INCORPORATED
Вид упаковки:	бобина; лента;
Монтаж:	SMD
Мощность:	0.35Вт; 350мВт;
Напряжение затвор-исток:	±8В
Напряжение сток-исток:	20В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	0,35Вт; 0.35Вт;
Сопротивление в открытом состоянии:	0,9Ом; 0.9Ом;
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	0,45А; 0.45А;
Характеристики полупроводниковых элементов:	ESD protected gate
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,45А; 350мВт; SOT23.

Теги: DIODES INCORPORATED., Транзистор: N-MOSFET, полевой, 20В, 0, 45А, 350мВт, SOT23.