|
|
ZXMS6006DT8TAАртикул: 282807 Транзистор: N-MOSFET x2; IntelliFET™; полевой; 60В; 2,8А; 1,16Вт. Производитель: DIODES INCORPORATED |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | SM8 |
| Производитель: | DIODES INCORPORATED |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение сток-исток: | 60В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: |
1,16Вт; 1.16Вт; |
| Сопротивление в открытом состоянии: |
0,1Ом; 0.1Ом; |
| Технология: | IntelliFET™ |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET x2 |
| Ток стока: |
2,8А; 2.8А; |
| Характеристики полупроводниковых элементов: |
ESD protected gate; logic level; |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET x2; IntelliFET™; полевой; 60В; 2,8А; 1,16Вт.
Теги: Транзисторы многоканальные, DIODES INCORPORATED, Транзистор: N-MOSFET x2, IntelliFET™, полевой, 60В, 2, 8А, 1, 16Вт