ZXMP6A18DN8TA Артикул: 252504 Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -3,8А; 1,25Вт; SO8. Производитель: DIODES INCORPORATED		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 500 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 21 58 2500 Без НДС: 131.82 грн. 86.37 грн. 42.65 грн. 40.35 грн. 39.34 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SO8
Производитель:	DIODES INCORPORATED
Вид упаковки:	бобина; лента;
Монтаж:	SMD
Мощность:	1.25Вт
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	-60В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	1,25Вт; 1.25Вт;
Сопротивление в открытом состоянии:	0,055Ом; 55мОм;
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	P-MOSFET x2
Ток стока:	-3,8А; -3.8А;
PDF:

Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -3,8А; 1,25Вт; SO8.

Теги: DIODES INCORPORATED., Транзистор: P-MOSFET x2, полевой, -60В, -3, 8А, 1, 25Вт, SO8.