ZXMHC6A07T8TA Артикул: 215784 Транзистор: N/P-MOSFET x2; полевой; 60/-60В; 1,4/-1,2А; 1,3Вт. Производитель: DIODES INCORPORATED		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 2736 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 12 33 200 Без НДС: 152.13 грн. 99.30 грн. 75.11 грн. 70.65 грн. 69.38 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SOT223-8
Производитель:	DIODES INCORPORATED
Вид упаковки:	бобина; лента;
Конструкция диода:	общий источник
Монтаж:	SMD
Мощность:	1.3Вт
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	60/-60В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	1,3Вт; 1.3Вт;
Сопротивление в открытом состоянии:	0,45Ом; 0.45Ом;
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	дополнительная пара; комплементарная пара;
Тип транзистора:	N/P-MOSFET x2
Ток стока:	1,4/-1,2А; 1.4/-1.2А;
PDF:

Транзистор: N/P-MOSFET x2; полевой; 60/-60В; 1,4/-1,2А; 1,3Вт.

Теги: DIODES INCORPORATED., Транзистор: N/P-MOSFET x2, полевой, 60/-60В, 1, 4/-1, 2А, 1, 3Вт.