ZXMC4559DN8TA Артикул: 215783 Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 60/-60В; 3,6/-2,6А; 1,25Вт; SO8. Производитель: DIODES INCORPORATED		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 137 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 25 33 90 Без НДС: 109.67 грн. 73.84 грн. 61.10 грн. 27.31 грн. 25.84 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SO8
Производитель:	DIODES INCORPORATED
Вид упаковки:	бобина; лента;
Монтаж:	SMD
Мощность:	1.25Вт
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	60/-60В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	1,25Вт; 1.25Вт;
Сопротивление в открытом состоянии:	0,075Ом; 0.075Ом; 75мОм;
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N/P-MOSFET
Тип транзистора:	дополнительная пара; комплементарная пара;
Ток стока:	3,6/-2,6А; 3.6/-2.6А;
PDF:

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 60/-60В; 3,6/-2,6А; 1,25Вт; SO8.

Теги: DIODES INCORPORATED., Транзистор: N/P-MOSFET, полевой, 60/-60В, 3, 6/-2, 6А, 1, 25Вт, SO8.