|
|
ZXMC3A16DN8TAАртикул: 282794 Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; комплементарная пара; 30/-30В. Производитель: DIODES INCORPORATED |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | SO8 |
| Производитель: | DIODES INCORPORATED |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 30/-30В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: |
2,1Вт; 2.1Вт; |
| Сопротивление в открытом состоянии: |
0,035/0,048Ом; 35/48мОм; |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N/P-MOSFET |
| Тип транзистора: |
дополнительная пара; комплементарная пара; |
| Ток стока: |
5,4/-6,4А; 5.4/-6.4А; |
| PDF: |
|
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; комплементарная пара; 30/-30В.
Теги: Транзисторы многоканальные, DIODES INCORPORATED, Транзистор: N/P-MOSFET, полевой, комплементарная пара, 30/-30В