(066) 705-70-05 (073) 705-70-05
info@smdua.in.ua (096) 705-70-05

  • SQJB70EP-T1_GE3

SQJB70EP-T1_GE3

Артикул: 286393


Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 6,5А; 9Вт; PowerPAK® SO8.

Производитель: VISHAY



PDF
Кратность заказа позиции:
1
Минимальный заказ позиции:
1
Кол-во:
0

Корпус: PowerPAK® SO8
Производитель: VISHAY
#Promotion: vishay_201906
Вид упаковки: бобина;
лента;
Заряд затвора: 4нC
Монтаж: SMD
Напряжение затвор-исток: ±20В
Напряжение сток-исток: 100В
Полярность: полевой
Потери мощности: 9Вт
Сопротивление в открытом состоянии: 95мОм
Тип канала: обогащенный
Тип транзистора: N-MOSFET x2
Ток стока: 6,5А;
6.5А;
PDF:
PDF
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 6,5А; 9Вт; PowerPAK® SO8.

Теги: Транзисторы многоканальные, VISHAY, Транзистор: N-MOSFET x2, полевой, 100В, 6, , 9Вт, PowerPAK® SO8