SQ9945BEY-T1_GE3 Артикул: 286391 Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 3,1А; 4Вт; SO8. Производитель: VISHAY		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 826 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 5 10 24 65 500 1000 Без НДС: 99.93 грн. 68.17 грн. 61.55 грн. 37.94 грн. 35.90 грн. 35.45 грн. 35.01 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SO8
Производитель:	VISHAY
#Promotion:	vishay_201906
Вид упаковки:	бобина; лента;
Заряд затвора:	8нC
Монтаж:	SMD
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	60В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	4Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	0,064Ом; 0.064Ом; 64мОм;
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET x2
Ток стока:	3,1А; 3.1А;
PDF:

Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 3,1А; 4Вт; SO8.

Теги: Транзисторы многоканальные, VISHAY, Транзистор: N-MOSFET x2, полевой, 60В, 3, 1А, 4Вт, SO8