|
|
SI6562CDQ-T1-GE3Артикул: 406776 Транзистор: N/P-MOSFET. Производитель: VISHAY |
 |
Кратность заказа позиции: 3000 Минимальный заказ позиции: 3000 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | TSSOP8 |
| Производитель: | VISHAY |
| Pulsed drain current: | 30А |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Заряд затвора: | 23/51нC |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±12В |
| Напряжение сток-исток: | 20В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 1/1,1Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 22/30мОм |
| Технология: | TrenchFET® |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N/P-MOSFET |
| Ток стока: | 4,2/-4,9А |
| PDF: |
|
Транзистор: N/P-MOSFET.
Теги: Транзисторы многоканальные, VISHAY, Транзистор: N/P-MOSFET