|
|
SI4590DY-T1-GE3Артикул: 283650 Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 100/-100В; 4,5/-2,7А; 2,3/2,7Вт. Производитель: VISHAY |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | SO8 |
| Производитель: | VISHAY |
| #Promotion: | vishay_201906 |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Заряд затвора: |
4/11,6нC; 4/11.6нC; |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 100/-100В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: |
2,3/2,7Вт; 2.3/2.7Вт; |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 57/183мОм |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N/P-MOSFET |
| Ток стока: |
4,5/-2,7А; 4.5/-2.7А; |
| PDF: |
|
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 100/-100В; 4,5/-2,7А; 2,3/2,7Вт.
Теги: Транзисторы многоканальные, VISHAY, Транзистор: N/P-MOSFET, полевой, 100/-100В, 4, 5/-2, 7А, 2, 3/2, 7Вт