|
|
SI4532CDY-T1-GE3Артикул: 406763 Транзистор: N/P-MOSFET. Производитель: VISHAY |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 2310 Срок поставки 20-30 дней |
||||||||||||||
|
|
||||||||||||||||||
| Корпус: | SO8 |
| Производитель: | VISHAY |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Заряд затвора: | 9/12нC |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 30В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 1,78Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 47/89мОм |
| Технология: | TrenchFET® |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N/P-MOSFET |
| Ток стока: | 4,9/-3,4А |
Транзистор: N/P-MOSFET.
Теги: Транзисторы многоканальные, VISHAY, Транзистор: N/P-MOSFET