DMN6040SSD-13 Артикул: 215331 Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 4,1А; 800мВт; SO8. Производитель: DIODES INCORPORATED		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 931 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 5 10 50 62 170 1000 Без НДС: 39.59 грн. 32.91 грн. 28.64 грн. 19.80 грн. 14.32 грн. 13.56 грн. 13.37 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SO8
Производитель:	DIODES INCORPORATED
Вид упаковки:	бобина; лента;
Монтаж:	SMD
Мощность:	0.8Вт; 800мВт;
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	60В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	0,8Вт; 0.8Вт;
Сопротивление в открытом состоянии:	0,055Ом; 0.055Ом; 55мОм;
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET x2
Ток стока:	4,1А; 4.1А;
PDF:

Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 4,1А; 800мВт; SO8.

Теги: DIODES INCORPORATED., Транзистор: N-MOSFET x2, полевой, 60В, 4, 1А, 800мВт, SO8.