|
|
DMG6602SVTQ-7Артикул: 402706 Транзистор: N/P-MOSFET. Производитель: DIODES INCORPORATED |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 1174 Срок поставки 20-30 дней |
||||||||||||||||
|
|
||||||||||||||||||||
| Корпус: | TSOT26 |
| Производитель: | DIODES INCORPORATED |
| Pulsed drain current: | 25...-20А |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 30/-30В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: |
0,84Вт; 840мВт; |
| Сопротивление в открытом состоянии: |
0,06/0,095Ом; 60/95мОм; |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N/P-MOSFET |
| Ток стока: | 2,7/-2,4А |
| PDF: |
|
Транзистор: N/P-MOSFET.
Теги: Транзисторы многоканальные, DIODES INCORPORATED, Транзистор: N/P-MOSFET