(066) 705-70-05 (073) 705-70-05
info@smdua.in.ua (096) 705-70-05

  • APT50GT120B2RDQ2G

APT50GT120B2RDQ2G

Артикул: 434695


Транзистор: IGBT; NPT; 1,2кВ; 50А; 625Вт; T-Max.

Производитель: MICROCHIP TECHNOLOGY



Кратность заказа позиции:
1
Минимальный заказ позиции:
1
Кол-во:
0

Корпус: T-Max
Производитель: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид упаковки: туба
Время включения: 77нс
Время выключения: 303нс
Заряд затвора: 340нC
Конструкция диода: IGBT + anti-parallel diode
Монтаж: THT
Напряжение затвор - эмиттер: ±30В
Напряжение коллектор-эмиттер: 1,2кВ
Потери мощности: 625Вт
Технология: NPT
Тип транзистора: IGBT
Ток коллектора: 50А
Ток коллектора в импульсе: 150А
Характеристики полупроводниковых элементов: co-pack diode
Транзистор: IGBT; NPT; 1,2кВ; 50А; 625Вт; T-Max.

Теги: Транзисторы IGBT THT, MICROCHIP TECHNOLOGY, Транзистор: IGBT, NPT, 1, 2кВ, 50А, 625Вт, T-Max