(066) 705-70-05 (073) 705-70-05
info@smdua.in.ua (096) 705-70-05

  • APT25GN120B2DQ2G

APT25GN120B2DQ2G

Артикул: 434424


Транзистор: IGBT; Field Stop; 1,2кВ; 33А; 272Вт; T-Max.

Производитель: MICROCHIP TECHNOLOGY



Кратность заказа позиции:
1
Минимальный заказ позиции:
1
Кол-во:
0

Корпус: T-Max
Производитель: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид упаковки: туба
Время включения: 39нс
Время выключения: 560нс
Заряд затвора: 155нC
Конструкция диода: IGBT + anti-parallel diode
Монтаж: THT
Напряжение затвор - эмиттер: ±30В
Напряжение коллектор-эмиттер: 1,2кВ
Потери мощности: 272Вт
Технология: Field Stop
Тип транзистора: IGBT
Ток коллектора: 33А
Ток коллектора в импульсе: 75А
Характеристики полупроводниковых элементов: co-pack diode
Транзистор: IGBT; Field Stop; 1,2кВ; 33А; 272Вт; T-Max.

Теги: Транзисторы IGBT THT, MICROCHIP TECHNOLOGY, Транзистор: IGBT, Field Stop, 1, 2кВ, 33А, 272Вт, T-Max