(066) 705-70-05 (073) 705-70-05
info@smdua.in.ua (096) 705-70-05

  • APT33GF120LRDQ2G

APT33GF120LRDQ2G

Артикул: 434553


Транзистор: IGBT; NPT; 1,2кВ; 30А; 357Вт; TO264.

Производитель: MICROCHIP TECHNOLOGY



Кратность заказа позиции:
1
Минимальный заказ позиции:
1
Кол-во:
0

Корпус: TO264
Производитель: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид упаковки: туба
Время включения: 31нс
Время выключения: 355нс
Заряд затвора: 170нC
Конструкция диода: IGBT + anti-parallel diode
Монтаж: THT
Напряжение затвор - эмиттер: ±30В
Напряжение коллектор-эмиттер: 1,2кВ
Потери мощности: 357Вт
Технология: NPT
Тип транзистора: IGBT
Ток коллектора: 30А
Ток коллектора в импульсе: 75А
Характеристики полупроводниковых элементов: co-pack diode
Транзистор: IGBT; NPT; 1,2кВ; 30А; 357Вт; TO264.

Теги: Транзисторы IGBT THT, MICROCHIP TECHNOLOGY, Транзистор: IGBT, NPT, 1, 2кВ, 30А, 357Вт, TO264