(066) 705-70-05 (073) 705-70-05
info@smdua.in.ua (096) 705-70-05

  • APT25GP90BDQ1G

APT25GP90BDQ1G

Артикул: 434428


Транзистор: IGBT; PT; 900В; 36А; 417Вт; TO247-3.

Производитель: MICROCHIP TECHNOLOGY



Кратность заказа позиции:
1
Минимальный заказ позиции:
1
Кол-во:
0

Корпус: TO247-3
Производитель: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид упаковки: туба
Время включения: 29нс
Время выключения: 190нс
Заряд затвора: 110нC
Конструкция диода: IGBT + anti-parallel diode
Монтаж: THT
Напряжение затвор - эмиттер: ±30В
Напряжение коллектор-эмиттер: 900В
Потери мощности: 417Вт
Технология: POWER MOS 7®;
PT;
Тип транзистора: IGBT
Ток коллектора: 36А
Ток коллектора в импульсе: 110А
Характеристики полупроводниковых элементов: co-pack diode
Транзистор: IGBT; PT; 900В; 36А; 417Вт; TO247-3.

Теги: Транзисторы IGBT THT, MICROCHIP TECHNOLOGY, Транзистор: IGBT, PT, 900В, 36А, 417Вт, TO247-3