|
|
SI3127DV-T1-GE3Артикул: 406736 Транзистор: P-MOSFET. Производитель: VISHAY |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | TSOP6 |
| Производитель: | VISHAY |
| Pulsed drain current: | -20А |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Заряд затвора: | 30нC |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | -60В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 2,7Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 89мОм |
| Технология: | TrenchFET® |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | P-MOSFET |
| Ток стока: | -5,1А |
| PDF: |
|
Транзистор: P-MOSFET.
Теги: Транзисторы с каналом P SMD, VISHAY, Транзистор: P-MOSFET