|
|
SI2319DS-T1-E3Артикул: 483391 Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -2,4А; Idm: -12А. Производитель: VISHAY |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 570 Срок поставки 20-30 дней |
||||||||||||
|
|
||||||||||||||||
| Корпус: | SOT23 |
| Производитель: | VISHAY |
| Pulsed drain current: | -12А |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Заряд затвора: | 17нC |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | -40В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 0,8Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 130мОм |
| Технология: | TrenchFET® |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | P-MOSFET |
| Ток стока: | -2,4А |
| PDF: |
|
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -2,4А; Idm: -12А.
Теги: Транзисторы с каналом P SMD, VISHAY, Транзистор: P-MOSFET, TrenchFET®, полевой, -40В, -2, 4А, Idm: -12А